厦门中芯晶研可提供2",3",4"氮化镓单晶片。
氮化镓(GaN)是二十世纪九十年代以来常用于发光二 管的二元直接带隙半导体。该化合物是—种非常坚硬的材料，具有纤锌矿晶体结构。其3.4 ev的宽带隙为光电，高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。例如，GaN是使紫色(405nm)激光二 管成为可能的基板，而不使用非线性光学倍频。它对电离辐射的敏感性很低(与其他Ⅲ族氮化物 样)，使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。由于设备在辐射环境中表现出稳定性，在太空应用有不错的潜力。由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作，因此GaN半导体材料可以在微波频率下制造理想的功率放大器。
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