在产业技术发展方面，国内目前已研发1W的功率LED芯片可产业化，其发光效率为30lm～40lm/W， 高可达47.5lm/W，单个器件发射功率为150mW， 高可达189mW。南昌大学近年来开展在硅衬底上生长GaN外延材料研究，已研发的蓝光芯片发射功率达7mW～8mW， 好为9mW～10mW，芯片成品率为80%，功率LED芯片在350mA下发射功率为100mW～150mW， 好可达150mW。在500mA、1000小时通电试验下，蓝光的光衰小于5%。该成果取得突破性进展，通过“863”项目验收，并获得多项有自主产权的国际发明专利。该专利打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国Cree公司垄断碳化硅衬底半导体照明技术的局面，形成蓝宝石、碳化硅、硅衬底制成蓝光的半导体照明技术方案三足鼎立的局面，在产业化过程中不会受日亚和Cree蓝光专利的制约，且目前 成熟的白光合成方案是蓝光+YAG磷光粉的方式，即未来进入白光照明领域必须 掌握蓝光芯片技术，南昌大学的硅衬底蓝光专利具有 为广阔的市场前景。2007年2月1日上午，预计总投资高达7000万美元的晶能光电(江西)有限公司“硅衬底发光二 管材料及器件”产业化项目，正式在南昌高新技术产业开发区开建 期工程。该项目技术来源于南昌大学发光材料与器件教育部工程研究中心，并得到了金沙江、Mayfield和AsiaVest三家国际创业投资基金的大力支持。整个产业化项目分三期建设， 期建设预计将于今年年底完成，形成年产30亿粒硅衬底蓝、绿光LED芯片的生产能力；二期建设实现年产硅衬底蓝、绿光LED芯片140亿粒；三期建成上中下游产业链，实现LED产业集群，实现年产值50亿元。
主要参数:
功率规格：30W-250W
外观结构外壳铝合金 次成型，表面进行阳 氧化防腐处理
额定电压： 220V 寿命40000小时
光源寿命50000小时光衰小于15%，使用寿命>10年
光效≥100Lm/W
灯具效率>90%
显色指数65-90
防护等 IP65
防爆等 Exd II CT6
重量：6.4kg
外形尺寸:300×260×280mm
色温暖白2700-4000K，正白4500-8000K
产品特点：
LED防爆灯外壳采用优质铝合金铸造成型，表面高压静电喷塑；
防爆等 高，外形轻巧美观；
LED防爆灯采用高亮节能LED光源，绿色环保，具有低能耗、长寿命、免维护等优点；
针对危险环境下的化学反应容器特点专门设计磁控开关。 外壳采用铝合金高压铸造成型，表面经抛丸后高压静电喷塑；
防爆等 高，外形轻巧美观；
开关内置，用户不需另配专用防爆照明开关；
根据不同的使用场所，此灯具还可作小范围的投光照明，具灵活性；
内部电路设有短路保护功能；
优良的密封结构设计，防水防尘性能好；
93模组路灯三
主营：加油站led防爆灯、LED防爆视孔灯、LED防爆投光灯泛光灯 还有跟灯具配套用的BNG防爆挠性连接管等产品！ 节能减排已经成为当今社会倡导的 个热点，如果你的企业在生产环节还选用 些高耗能设备，那不仅 浪费企业自身资源，也不符合资源节约型社会的发展目标。 LED灯是照明灯今后发展的的必然，将LED技术与防爆灯相结合，能应用于液化气站、化工制药、汽车轮毂生产抛光车间等多个领域 ，为这些领域的工业发展提供 个安全可靠的环境。将环保理念带入这些工业企业中。
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