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电参数测试 |
分立器件静态参数测试（DC） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012、GJB128B-2021 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件； 检测能力：检测*大电压：2000V 检测*大电流：200A； 试验参数： 漏电参数：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR； 击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS； 导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM； 关断参数：VGSOFF 触发参数：IGT、VGT 保持参数：IH、IH+、IH- 锁定参数：IL、IL+、IL- 混合参数：RDSON、GFS |
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I-V曲线扫描 |
ID vs.VDS at range of VGS ID vs.VGS at fixed VDS IS vs.VSD RDS vs.VGS at fixed ID RDS vs.ID at several VGS IDSS vs.VDS HFE vs.IC BVCE（O,S,R,V） vs.IC BVEBO vs.IE BVCBO vs.IC VCE（SAT） vs.IC VBE（SAT） vs.IC VBE（ON） vs.IC （use VBE test） VCE（SAT） vs.IB at a range of ICVF vs. IF |
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功率模块静态参数测试（DC） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流桥等功率； 试验能力：检测*大电压：7000V，检测*大电流：5000A 试验参数： 漏电参数：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR； 击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS； 导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM； 关断参数：VGSOFF 触发参数：IGT、VGT 保持参数：IH、IH+、IH- 锁定参数：IL、IL+、IL- 混合参数：RDSON、GFS |
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开关特性测试（Switch） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块； 试验能力：检测*大电压：4500V 检测*大电流：5000A 试验参数：开通/关断时间ton/toff、上升/下降时间tr/tf、开通/关断延迟时间td(on)/td(off)、开通/关断损耗Eon/Eoff、电流尖峰Ic-peak max、电压尖峰Vce-peak max、电压变化率dv/dt、电流变化率di/dt； |
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反向恢复测试（Qrr） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块； 试验能力：检测*大电压：4500V 检测*大电流：5000A 试验参数：反向恢复电荷Qrr、反向恢复电流Irm、反向恢复时间Trr、反向恢复电流变化率diF/dt、反向恢复损耗Erec； |
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栅*电荷（Qg） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；； 试验能力：检测*大电压：4500V 检测*大电流：5000A 试验参数：栅*电荷Qg、漏*电荷Qgs、源*电荷Qgd； |
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短路耐量（SCSOA） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件； 试验能力：检测*大电压：4500V 检测*大电流：10000A 试验参数：短路电流Isc、短路时间Tsc、短路能量Esc； |
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结电容（Cg） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块； 试验能力：频率：0.1-1MHz、检测*大电压：1500V； 试验参数：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Cres； |
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C-V曲线扫描 |
输入电容Ciss-V； 输出电容Coss-V； 反向传输电容Cres-V； |
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栅*电阻（Rg） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件； 试验能力：检测*大电压：1500V； 试验参数：栅*等效电阻Rg |
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功率老炼 |
高温反偏试验（HTRB） |
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块； 试验能力：温度*高150℃；电压*高5000V； |
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高温栅偏试验（HTGB） |
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、 EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。 试验对象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块； 试验能力：温度*高150℃；电压*高100V； |
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高温高湿反偏试验（H3TRB） |
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、 EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块； 试验能力：温度85℃，湿度范围：25%~95%，电压*高4500V； |
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功率老炼测试 |
试验对象：IGBT、TVS、压敏电阻VDR； 试验能力：检测*大电压：4500V，检测*大电流：200A |
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间歇寿命试验（IOL） |
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、 ； 试验对象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件； 检测能力：ΔTj≧100℃ 电压*大60V，电流*大50A。 |
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功率循环试验（PC） |
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、 ； 试验对象：IGBT模块； 检测能力：ΔTj=100℃，电压*大30V，电流*大1800A； |
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热阻测试（Riath） |
执行标准：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6； 试验对象：各类二*管； 试验能力：瞬态热阻、稳态热阻 |
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*限能力测试 |
正向浪涌电流测试 |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747，客户自定义； 试验对象：DIODE（Si/SiC）、整流桥、SCR、IGBT； 试验能力：检测*大电流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。 试验参数：浪涌电流IFSM/ITSM、i2t |
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雷击浪涌 |
非标 |
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雪崩耐量测试（UIS） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747，客户自定义； 试验对象：MOSFET、IGBT、DIODE，*三代半导体器件等单管器件； 试验能力：检测*大电压：4500V，检测*大电流：200A 试验参数：雪崩能量EAS |
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介电性测试 |
执行标准：GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007； 试验对象：Si、SiC·MOSFET； 试验能力：检测*大电压：4500V，检测*大电流：200A |
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环境老炼 |
高温存储试验（HTSL） |
执行标准：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、 ； 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品； 试验能力：温度*高220℃； |
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低温存储试验（LTSL） |
执行标准：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ； 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品； 试验能力：温度*低-70℃。 |
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高低温循环试验（TC） |
执行标准：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ； 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品； 试验能力：温度范围：-40℃~175℃。 |
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温度冲击试验 |
执行标准：GJB548、GJB 150-86、GB 2423、MIL-STD-810H、IEC60068-2-14； 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品； 试验能力：温度范围：-70℃~220℃。 |
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高温蒸煮试验（PCT） |
执行标准：GB/T 4937.4-2012、JESD22-A110D-2010 IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008； 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品； 试验能力：温度范围：105℃到142.9℃之间；湿度范围： 75%到100%RH。 压力范围：0.02MPa到0.186MPa。 |
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可焊性试验 |
执行标准：MIL-STD-202G、MIL-STD-883G、GB2423、IEC60068； 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品； |
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振动试验 |
执行标准：GJB 150.25-86、GB-T 4857.23-2003、GBT4857.10-2005； 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品； 试验方法：模拟产品在运输、安装及使用环境下所遭遇到的各种振动环境影响，主要用于评定元器件、零部件及整机在预期的运输及使用环境中的抵抗能力，以了解产品的耐振寿命和性能指标的稳定性。 |
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盐雾试验 |
执行标准：GB/T2423.17—2008、GB/T2423.18—2000、GB5938—86； 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品； 试验方法：通过人工模拟盐雾环境条件来考核产品或金属材料耐腐蚀性能的环境试验。*般用于对材料(表面镀层)或表面处理工艺进行评价、筛选、对比，确定产品中潜在问题的区域和部位,发现质量控制的不足,寻找设计缺陷等。 |
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